先日、工事担任者試験 総合通信 基礎科目の出題予想資料を配布いたしました。
試験終了後は、資料の配布を取りやめる予定にしております。
出題論点から的中問題があったかを後から検証するために、こちらでは備忘録として予想に取り上げた内容をまとめておきます。
後日、試験問題公表後に、的中問題の有無を確認、記事化する予定にしております。
基礎 出題予想内容（暗記項目に限る）
電磁気
001□帯電体Ａの周囲を中空導体Ｂで覆い、Ｂを接地すると、Ｂの外部はＡの電荷の影響を受けない。これは、一般に、静電遮蔽効果といわれる。
002□平行に置かれた２本の電線に、互いに反対方向に直流電流を流すと、電線間において相互に反発する電磁力が発生する。
003□コイルを貫く磁束が変化したとき、電磁誘導によってコイルに生ずる起電力は、これによって生ずる電流の作る磁場が、与えられた磁束の変化を妨げるような向きに発生する。
これは、レンツの法則といわれる。
004□正弦波交流の電圧において、実効値は最大値の１／√２倍である。
005□交流波形のひずみの度合いを判断するための目安の一つである波高率は、最大値の実効値に対する比で表され、正弦波形の場合は約1.41である。
半導体
006□シリコン原子は４個の価電子を持っており、これらの価電子は原子核から最も外側の軌道に位置する。
007□半導体材料の構造には、原子が規則正しく配列している単結晶、原子の間隔や結合角度などが不規則である非晶質などがあり、非晶質は アモルファスともいわれる。
008□高純度のシリコンに、５価のリンやアンチモンを微量に加えることにより、ｎ形半導体が生成される。
009□ｐｎ接合に外部から順方向電圧を加えると、空乏層が狭くなり、ｎ形領域の多数キャリアである自由電子はｐ形領域へ流れ込む。
010□半導体中の自由電子又は正孔に濃度差があるとき、自由電子又は正孔が濃度の高い方から低い方に移動する現象は、拡散 といわれる。
011□半導体に電界を加えたとき、正孔や自由電子が電界の力を受けて移動する現象はドリフトといわれる。
012□バリスタは、電圧－電流特性が非直線的な変化を示す半導体素子であり、過電圧の抑制、衝撃性雑音の吸収などに用いられる。
013□サイリスタは、ｐ形とｎ形の半導体を交互に二つ重ねたｐｎｐｎの４層構造を基本とした半導体スイッチング素子であり、シリコン制御整流素子ともいわれる。
014□アバランシホトダイオードは、電子なだれ増倍現象による電流増幅作用を利用した受光素子であり、光検出器などに用いられる。
015□ＰＩＮフォトダイオードは、３層構造の受光素子であり、電流増幅作用は持たないが、アバランシェフォトダイオードと比較して低い動作電圧で利用できる。
016□ホトダイオードは、光を電気に変換する機能を持ち、逆方向電圧を加えたｐｎ接合部に光を当てると光の強さに応じた電流を生ずる半導体素子である。
017□ＬＥＤは、電気を光に変換する機能を持ち、ｐｎ接合に順方向電圧を加えると光を放出する半導体素子である。
トランジスタ
018□トランジスタ増幅回路を接地方式により分類したとき、出力インピーダンスが最も大きく、入力インピーダンスが最も小さいものは、ベース接地の増幅回路である。
019□トランジスタ回路を接地方式により分類したとき、入力インピーダンスが高く、出力インピーダンスが低いため、インピーダンス変換回路として用いられるものは、コレクタ接地方式である。
020□トランジスタによる増幅回路を構成する場合のバイアス回路は、トランジスタの動作点の設定を行うために必要な直流電流を供給するために用いられる。
021□トランジスタの静特性のうち、エミッタ接地方式においてコレクタ－エミッタ間の電圧ＶCEを一定に保ったときのベース電流IBとコレクタ電流ICとの関係を示したものは、電流伝達特性といわれる。
022□トランジスタ増幅回路において出力信号を取り出す場合、コンデンサを通して直流分をカットし、交流分のみを取り出す方法がある。
023□ＭＯＳ型電界効果トランジスタには、ゲート電圧を加えなくてもチャネルが形成されるデプレション型と、ゲート電圧を加えなければチャネルが形成されないエンハンスメント型がある。
024□ＭＯＳ型電界効果トランジスタは、ドレイン－ソース間を流れる電流をゲート電圧の変化により制御できるので電圧制御素子といわれる。
025□記憶素子を構成する基本単位であるメモリセルが、ＭＯＳトランジスタ１ 個とコンデンサ１個から構成され、コンデンサに電荷があるときは１、電荷がないときは０として記憶される半導体メモリは、ＤＲＡＭ といわれる。
伝送理論
026□誘導回線の信号が被誘導回線に現れる漏話のうち、誘導回線の信号の伝送方向を正の方向とし、その反対方向を負の方向とすると、正の方向に現れるものは遠端漏話といわれる。
027□平衡対ケーブルにおいて電磁結合により生ずる漏話の大きさは、誘導回線のインピーダンスに反比例する。
028□一様なメタリック線路の減衰定数は線路の一次定数により定まり、信号の周波数によりその値が変化する。
029□伝送回路の入力と出力の信号電圧が比例関係にないために生ずる信号のひずみは、非直線ひずみといわれる。
030□平衡対ケーブルにおいては、単位長さ当たりの心線導体抵抗を大きくすると伝送損失が増加する。
031□平衡対ケーブルにおいては、心線導体間の間隔を大きくすると伝送損失が減少する。
032□同軸ケーブルは、信号の周波数が４倍になると、その伝送損失は約２倍になる。
伝送技術
033□異なる中心周波数を持つ複数の搬送波(サブキャリア)を直交させることによって、サブキャリア間の周波数間隔を密にして周波数の利用効率を高めたマルチキャリア変調方式は、OFDM変調といわれる。
034□アナログ伝送における回線雑音には、ケーブル心線間の電磁結合や静電結合あるいはフィルタの特性によって生ずる漏話雑音、信号電力の大きさとは無関係に生ずる熱雑音などがある。
035□伝送するパルス列の時間軸上の周期の短い位相変動は、ジッタといわれ、光中継システムなどに用いられる再生中継器におけるタイミングパルスの間隔のふらつきや共振回路の同調周波数のずれが一定でないことなどに起因している。
036□光ファイバ増幅器を用いた光中継システムにおいて、光信号の増幅に伴い発生する自然放出光に起因するＡＳＥ雑音は、受信端におけるＳＮ比の低下など、伝送特性劣化の要因となる。
037□パルスの繰り返し周期が等しいＮ個のＰＣＭ信号を時分割多重方式により伝送するためには、多重化後のパルスの繰り返し周期を元の周期の１／Ｎ 倍以下となるように設定する必要がある。
038□デジタル移動通信などにおける多元接続方式の一つであり、各ユーザに異なる符号を割り当て、スペクトル拡散技術を用いることにより一つの伝送路を複数のユーザで共用する方式は、ＣＤＭＡといわれる。
039□電気光学効果（ポッケルス効果）を利用した光変調器では、物質に加える電界強度を変化させることにより、物質の屈折率を変えることで、光の属性である位相などを変化させる方法を用いている。
040□音響光学効果を利用した光変調器では、物質中を伝搬する超音波によって生ずる屈折率の粗密で光が回折される性質を利用して、光の属性である強度などを変化させる方法を用いている。
041□光中継伝送システムに用いられる再生中継器には、中継区間における信号の減衰、伝送途中で発生する雑音、ひずみなどにより劣化した信号波形を再生中継するための機能として、等化増幅、タイミング抽出及び識別再生の三つの機能が必要であり、これは３Ｒ機能といわれる。
042□光ファイバ増幅器は、波長が異なる信号光の一括増幅が可能であり、波長分割多重伝送方式を用いた光中継システムなどに使用されている。
043□光ファイバ増幅器には、増幅媒体として光ファイバのコア部分にエルビウムイオンを添加した光ファイバを利用するＥＤＦＡといわれるものがある。
044□シングルモード光ファイバの伝送帯域を制限する要因として、光ファイバの構造分散と材料分散との和で表される波長分散がある。
045□波長の異なる複数の光信号を多重化する方式は、ＷＤＭ方式といわれる。
046□双方向多重伝送に用いられるＴＣＭは、送信パルス列を時間的に圧縮し、空いた時間に反対方向からのパルス列を受信することにより双方向伝送を実現しており、ピンポン伝送ともいわれる。
047□ＤＷＤＭは、ＣＷＤＭと比較して、波長間隔を密にした多重化方式であり、長距離及び大容量の伝送に用いられている。
公式暗記編
048□正弦波交流回路において、電圧の実効値をボルト、電流の実効値を
アンペア、電圧と電流の位相差をθラジアンとすると、無効電力は EIsinθ バールである。
049□正弦波交流回路において、有効電力をPワット、無効電力をQバールとすれば、力率は P／√P^2+Q^2 で表される。
050□インダクタンスヘンリーのコイルに
アンペアの直流電流が流れているとき、このコイルに蓄えられている電磁エネルギーは 1/2 LI^2 ジュールである。
051□電磁誘導によって巻数Ｎのコイルに生ずる誘導起電力ｅは、コイルを貫く磁束の時間ｔとともに変化する割合を△φ／△tとすれば、
e＝N×△φ／△tの関係式で表される。
052□コイルに交流電流が流れると、コイル内には時間的に変化する磁束が生じ、流れる電流を妨げる向きに誘導起電力が生ずる。このとき、コイルの自己インダクタンスは、誘導起電力／電流変化率で表される。
053□面積Aの金属板２枚を間隔dだけ隔てて平行に置き、その間を誘電率εの誘電体で満たした平行板コンデンサがある。このコンデンサの静電容量をCとすると、これらの間に C=εS/D の関係がある。
054□一方の通信線路の特性インピーダンスをZ01、もう一方の通信線路の特性インピーダンスをZ02とすると、その接続点における電圧反射係数は、Z02-Z01 / Z01+Z02 で求められる。
055□異なる特性インピーダンスZ01、Z02の通信線路を接続して信号を伝送したとき、その接続点における電圧反射係数をｍとすると、電流反射係数は－ｍで表される。
056□ある伝送路の送信端における信号電力をPsワット、受信端における信号電力をPRワットとするとき、この伝送路の伝送損失は 10log10 PS/PR デシベルで表される。
以上です。（分数表記が出来ていなくてスミマセン。）
果たして的中問題は出てくるか、後日検証記事を作成いたします。
受験生の皆様のお役に立てましたら幸いです。
こんにちは！まなびやです。